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讲解P+F漫反射型光电传感器性能参数

  • 更新时间:  2024-04-16
  • 产品型号:  ML100-8-1000-RT/95/103
  • 简单描述
  • 讲解P+F漫反射型光电传感器性能参数
    光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
详细介绍
品牌P+F/德国倍加福

讲解P+F漫反射型光电传感器性能参数

漫反射型光电传感器,塑料外壳,1000 mm 可调节检测范围,红光,亮通/暗通,PNP 输出,M8 插头,4 针, 微型设计, 易于使用, 光斑极为明亮、清晰, 全金属螺纹安装, 清晰可见的 LED,用于指示通电和开关状态

检测距离0 ... 1000 mm

工作指示灯绿色 LED:通电

功能指示灯黄色 LED,当接收器接收到光时亮起

控制元件灵敏度调节

开关类型该传感器的开关类型是可更改的。默认设置为: 亮时接通

信号输出1 路 PNP 输出,短路保护,反极性保护,集电极开路

开关电压最大 30 V DC

开关电流最大 100 mA , 阻抗负载

电压降≤ 1,5 V DC

控制元件亮时接通/暗时接通转换开关

调整范围100 ... 1000 mm

参考目标标准白色平板,100 mm x 100 mm

光源LED

光源类型调制可见红光

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应,如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应,如光电池等。

偏振滤波片

光点直径大约 75 mm 相距 1000 mm

发散角大约 2 °

光学端面向前直射

环境光限制EN 60947-5-2:2007+A1:2012

讲解P+F漫反射型光电传感器性能参数



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